Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP75N06SAAU06A1
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJP75N06SAAU06A1

Herst.- Nr.:

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Auf Lager: 1 449

Lagerbestand:: 1 449 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.30 CHF	1.30 CHF
	0.617 CHF	6.17 CHF
	0.549 CHF	54.90 CHF
	0.431 CHF	215.50 CHF
	0.395 CHF	395.00 CHF
	0.362 CHF	905.00 CHF
	0.359 CHF	1 795.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AB-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	50 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.8 ns
Gewicht pro Stück:	2,095 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.