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PJQ4435EP_R2_00201

Name: Panjit PJQ4435EP_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4435EPR200201
Price: 0.19 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJQ4435EPR200201

Herst.- Nr.:

PJQ4435EP_R2_00201

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PJQ4435EP_R2_00201 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-3333-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	33.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	66 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	51 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	PJQ4435EP
Gewicht pro Stück:	30.495 mg

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Datenblatt

PJQ4435EP_R2_00201 Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.