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SCT4045DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DLLTRDC
Price: 11.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4045DLLTRDC

Herst.- Nr.:

SCT4045DLLTRDC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TOLL 750V 37A SIC

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCT4045DLLTRDC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 11.48	CHF 11.48
	CHF 8.85	CHF 88.50
	CHF 7.79	CHF 779.00
	CHF 6.94	CHF 3 470.00
	CHF 6.48	CHF 6 480.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 6.48	CHF 12 960.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-9
Transistorpolung:	N Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	37 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	63 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 V
Pd - Verlustleistung:	133 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.3 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns

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Datenblatt

SCT4045DLLTRDC Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.