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SH8KB6TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB6TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB6TB1
Price: 1.15 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8KB6TB1

Herst.- Nr.:

SH8KB6TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Datenblatt:

SH8KB6TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.15	CHF 1.15
	CHF 0.726	CHF 7.26
	CHF 0.482	CHF 48.20
	CHF 0.378	CHF 189.00
	CHF 0.344	CHF 344.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.306	CHF 765.00
	CHF 0.304	CHF 1 520.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.9 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.3 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.5 ns
Artikel # Aliases:	SH8KB6

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs

Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen R_DS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.