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SI4151DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4151DY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI4151DY-T1-GE3
Price: 1.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI4151DY-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI4151DY-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A

Datenblatt:

SI4151DY-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.54	CHF 1.54
	CHF 0.989	CHF 9.89
	CHF 0.664	CHF 66.40
	CHF 0.607	CHF 303.50
	CHF 0.539	CHF 539.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.493	CHF 1 232.50
	CHF 0.474	CHF 2 370.00
	CHF 0.463	CHF 4 630.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	5.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	67 ns
Serie:	Si4151DY
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

SI4151DY-T1-GE3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.