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SI7309DN-T1-E3

Name: Vishay SI7309DN-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7309DN-T1-E3
Price: 1.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7309DN-T1-E3

Herst.- Nr.:

SI7309DN-T1-E3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Datenblatt:

SI7309DN-T1-E3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.27	CHF 1.27
	CHF 0.804	CHF 8.04
	CHF 0.536	CHF 53.60
	CHF 0.421	CHF 210.50
	CHF 0.384	CHF 384.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.352	CHF 1 056.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	146 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	14.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Artikel # Aliases:	SI7309DN-E3
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

SI7309DN-T1-E3 Datenblatt

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs

SI73 TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs sind 100 % R_g/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.