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SI7370DP-T1-E3

Name: Vishay SI7370DP-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7370DP-T1-E3
Price: 2.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7370DP-T1-E3

Herst.- Nr.:

SI7370DP-T1-E3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SI7370DP-T1-E3 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.74 CHF	2.74 CHF
	1.79 CHF	17.90 CHF
	1.24 CHF	124.00 CHF
	1.07 CHF	535.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.02 CHF	3 060.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	5.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Artikel # Aliases:	SI7370DP-T1
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SI7370DP-T1-E3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs

SI73 TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs sind 100 % R_g/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.