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SI8823EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8823EDB-T2-E1
Price: 0.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI8823EDB-T2-E1

Herst.- Nr.:

SI8823EDB-T2-E1

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

Datenblatt:

SI8823EDB-T2-E1 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.527	CHF 0.53
	CHF 0.324	CHF 3.24
	CHF 0.207	CHF 20.70
	CHF 0.157	CHF 78.50
	CHF 0.141	CHF 141.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.12	CHF 360.00
	CHF 0.109	CHF 654.00
	CHF 0.103	CHF 927.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MicroFoot-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	77 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	17 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	SI8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	45.104 mg

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Datenblatt

SI8823EDB-T2-E1 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (R_DS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (R_DS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.