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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 3.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIDR608EP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIDR608EP-T1-RE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SIDR608EP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.01	CHF 3.01
	CHF 1.97	CHF 19.70
	CHF 1.62	CHF 162.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.48	CHF 4 440.00
24 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	228 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.36 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	167 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	120 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	86 ns
Serie:	SIDR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	52 ns

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PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETs

Vishay 30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETS sind TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit einer sehr niedrigen RDS-zu-Qg-Gütezahl (FOM). Die Bauteile sind mit einer Kühlungsfunktion auf der Oberseite auf die niedrigste RDS-Qoss-FOM abgestimmt, die einen zusätzlichen Platz für Wärmeübertragungen bietet. Die MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet