SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 1.17 CHF 1.17
CHF 0.735 CHF 7.35
CHF 0.489 CHF 48.90
CHF 0.426 CHF 213.00
CHF 0.385 CHF 385.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.313 CHF 939.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3-8
N-Channel
2 Channel
30 V
30 A, 40 A
9.5 mOhms, 5.1 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
19 nC, 35 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W, 31 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 7 ns, 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 37 S, 60 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 55 ns, 82 ns
Serie: SIZ
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 16 ns, 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns, 22 ns
Gewicht pro Stück: 143.050 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird. 

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