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SP8M6HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M6HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M6HZGTB
Price: 1.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SP8M6HZGTB

Herst.- Nr.:

SP8M6HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

SP8M6HZGTB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.57	CHF 1.57
	CHF 0.907	CHF 9.07
	CHF 0.673	CHF 67.30
	CHF 0.562	CHF 281.00
	CHF 0.512	CHF 512.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.486	CHF 1 215.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A, 5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	51 mOhms, 90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	5 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns, 15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns, 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns, 10 ns
Artikel # Aliases:	SP8M6HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

SP8M6HZGTB Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Leistungs-MOSFETs

Die SP8M Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind Bauteile mit niedrigem Durchlasswiderstand, die in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8) untergebracht sind. Der SP8M verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.