STGB30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Menge Stückpreis
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CHF 1.71 CHF 17.10
CHF 1.19 CHF 119.00
CHF 1.01 CHF 505.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 1.380 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
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