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STGP30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGP30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30H60DFB
Price: 2.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP30H60DFB

Herst.- Nr.:

STGP30H60DFB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Datenblatt:

STGP30H60DFB Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	260 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGP30H60DFB
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STGP30H60DFB Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, die eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwenden. Diese neuen HB-Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Ein leicht positiver V_CE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine äußerst geringe Parameterverteilung ermöglichen einen sichereren Parallelbetrieb.
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