TGF2023-2-05

Qorvo
772-TGF2023-2-05
TGF2023-2-05

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB

Datenblatt:
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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
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RoHS:  
Die
N-Channel
Marke: Qorvo
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Verpackung: Gel Pack
Produkt: RF JFET Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: TGF2023
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN-on-SiC
Transistorart: GaN HEMT
Typ: GaN SiC HEMT
Artikel # Aliases: TGF2023 1099947
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5-0810-13

Datenblatt

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
3A001.b.3.b.4

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

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