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VSLY5850

Name: Vishay VSLY5850
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 782-VSLY5850
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

782-VSLY5850

Herst.- Nr.:

VSLY5850

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Infrarot-Emitter 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

Datenblatt:

VSLY5850 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.428	CHF 1 712.00
	CHF 0.425	CHF 5 100.00
	CHF 0.424	CHF 10 176.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Infrarot-Emitter
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Wellenlänge:	850 nm
Strahlstärke:	600 mW/sr
Beam-Winkel:	3 deg
If - Durchlassstrom:	100 mA
Vf - Durchlassspannung:	1.65 V
Nennleistung:	190 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Bulk
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	10 ns
Beleuchtungsfarbe:	Infrared
Linsenform:	Dome
Produkt-Typ:	IR Emitters (IR LEDs)
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Infrared Data Communications
Handelsname:	SurfLight
Gewicht pro Stück:	449.665 mg

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Datenblatt

VSLY5850 Datenblatt

Application Notes

Processing Instructions for Mounting of Through-Hole LEDs

Models

PCN

Change of Production Location for 3mm and TELUX Devices (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541410090
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 854141000
TARIC:: 8541410000
MXHTS:: 8541410100
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

SurfLight Infrarot-Emitter

Vishay SurfLight Infrarot-Emitter definieren die Leistungsstandards von Infrarot-Emittern neu. Fast das gesamte Licht und die gesamte Leistung wird an der Oberseite des Chips freigesetzt. Standard-Infrarot-Emitter setzen im Gegensatz dazu Licht in alle Richtungen frei. Mit der Konzentration des Lichts an der Oberfläche wird eine fünfmal höhere Lichtstärke erreicht als mit der Technologie von Standard-Emittern. Dadurch werden weniger Emitter benötigt, was die Gesamtkosten des Systems verringert.
Weitere Informationen

IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode

Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

Hochgeschwindigkeits-/Hochleistungs-Infrarot-Sender der Serie VSMB294x/VSMY2853

Die Vishay VSMB294x/VSMY2853 Hochgeschwindigkeits-/Hochleistungs-Infrarotsender bestehen aus einem übernommenen Linsenradius, um Halbwertswinkel von ±25° und ±28° zu bieten. Bei 100 mA Treiberstrom liegt die typische Leuchtstärke zwischen 20mW/sr to 35mW/sr. Diese Infrarotsender sind eine platzsparende Alternative zu PLCC2-Lösungen. Der Anwender hat die Wahl zwischen kompakten Gehäusebauformen Top-View- und Reverse-Gullwing (2,3mm x 2,3mm x 2,5mm) sowie Side-View (2,3mm x 2,55mm x 2,3mm). Die auf GaAIAs-Surface-Emitter-Chip (VSMY2853), Double-Hetero- (VSMF2893) bzw. Multi-Quantum-Well- (VSMB2943, VSMG2948)-Technologien basierende Infrarotsender bieten kurze Schaltzeiten und niedrige Durchlassspannungen.
Weitere Informationen

Vishay Semiconductors erweitert sein Angebot an Hochgeschwindigkeits-/Hochleistungs-Infrarot-Sender! Anzeige der Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Leuchtdioden der Serie VSMF2893

Hochgeschwindigkeits-IR-Dioden VSLY850

Die Hochgeschwindigkeits-IR-Dioden VSLY850 von Vishay Semiconductors sind 850nm-Infrarot-Dioden basierend auf der GaAlAs -Oberflächenemitter-Chiptechnologie Die Hochgeschwindigkeits-IR-Dioden VSLY850 von Vishay Semiconductors weisen eine äußerst hohe Strahlungsintensität, eine hohe optische Leistung und eine hohe Geschwindigkeit auf. Sie sind in einem ungetönten und transparenten Gehäuse untergebracht. Die Dioden VSLY3850 werden in einem T-1-Kunststoffgehäuse geliefert. Die Diode VSLY5850 verfügt zudem über eine Parabollinse.