WNSC5D16650CJ6Q

WeEn Semiconductors
771-WNSC5D16650CJ6Q
WNSC5D16650CJ6Q

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Datenblatt:
ECAD Model:
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WeEn Semiconductors
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
TO3PF-3
Common Cathode
16 A
650 V
1.45 V
40 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: WeEn Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 480
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Artikel # Aliases: 934072973127
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost.  These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.

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