PowerSaver Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Ergebnisse: 182
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Menge RoHS

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v 2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500


ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v 3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 312
Mult.: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348