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GP3T080A120H

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP3T080A120H

Herst.- Nr.:

GP3T080A120H

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GP3T080A120H Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	147 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	GP3T
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

GP3T080A120H Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete Bauteile

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.