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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 3.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-6ED2230S12TXUMA1

Herst.- Nr.:

6ED2230S12TXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Datenblatt:

6ED2230S12TXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.68	CHF 26.80
	CHF 2.40	CHF 60.00
	CHF 2.19	CHF 219.00
	CHF 2.05	CHF 512.50
	CHF 1.99	CHF 995.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.90	CHF 1 900.00
	CHF 1.88	CHF 3 760.00
	CHF 1.86	CHF 9 300.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSO-24
Anzahl der Treiber:	6 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	650 mA
Versorgungsspannung - Min.:	13 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Inverting
Anstiegszeit:	35 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	Infineon SOI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Logiktyp:	CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	600 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	600 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	175 uA
Pd - Verlustleistung:	1.3 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	900 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	6ED2230S12T SP001656578
Gewicht pro Stück:	807.300 mg

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Pegelverschiebungs-Gate-Treiber-ICs sind isolierte Hochgeschwindigkeits-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) mit hoher Spannung (bis zu 1.200 V) und drei unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen für Dreiphasen-Applikationen. Proprietäre HVIC- und Latch-unempfindliche CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Bauweise. Der Logikeingang ist mit Standard-CMOS- oder TTL-Ausgängen bis hinunter zu einer 3,3-V-Logikschaltung kompatibel. Dieser Widerstand kann auch eine Überstromschutzfunktion (OCP) ableiten, die alle sechs Ausgänge abschließt.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

1.200-V-Pegelverschiebungs-Gate-Treiber

Infineon 1.200 V Pegelverschiebungs-Gate-Treiber für Industrieantriebe umfassen Dreiphasen-, Halbbrücken- und High- und Low-Side-Treiber, die sich für IGBTs oder MOSFETs eignen. Der 6ED2230S12T Dreiphasen-1.200 V-SOI-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode (BSD) und Überstromschutz nutzt die einzigartige Silicon-on-Insulator (SOI) -Pegelverschiebungstechnologie des Infineon. Der 6ED2230S12T bietet eine funktionale Isolierung mit branchenführender negativer VS-Robustheit. Darüber hinaus bietet das Bauteil reduzierte Pegelverschiebungsverluste mit der integrierten Bootstrap-Diode, die eine geringere Stücklistenkosten und einen kleineren PCB-Footprint ermöglicht.