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IXTX400N20X4

Name: IXYS IXTX400N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX400N20X4
Price: 20.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTX400N20X4

Herst.- Nr.:

IXTX400N20X4

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXTX400N20X4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 20.58	CHF 20.58
	CHF 16.83	CHF 168.30
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1 000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	400 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	348 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.36 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	370 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	480 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	430 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	150 ns

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Datenblatt

IXTX400N20X4 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

X4-Class Leistungs-MOSFETs

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei gleichzeitig verbessertem Wirkungsgrad. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem PLUS-Gehäuse erhältlich, das einen höheren Nennstrom und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Die Leistungs-MOSFETs der X4-Klasse sind pinkompatibel mit dem Standardgehäuse TO-247 und lassen sich leicht aus bestehenden Designs für eine höhere Leistung aufrüsten. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen thermischer Widerstand aus. Typische Applikationen sind DC-Lastschalter, Batterieschutz, Batterie-ODER-Schaltungen, Batterieenergie-Speichersysteme und DC/DC-Auf-/Abwärtswandler.