TPN2R304PL,L1Q

Toshiba
757-TPN2R304PLL1Q
TPN2R304PL,L1Q

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40 Volt N-Channel

ECAD Model:
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CHF 0.687 CHF 6.87
CHF 0.455 CHF 45.50
CHF 0.355 CHF 177.50
CHF 0.301 CHF 301.00
CHF 0.297 CHF 742.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
CHF 0.282 CHF 1 410.00
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: JP
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 12.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7.8 ns
Serie: TPN2R304PL
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17.5 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.