Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SQJQ140E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ140E-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ140E-T1_GE3
Price: 3.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJQ140E-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJQ140E-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJQ140E-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SQJQ140E-T1_GE3

Auf Lager: 3 421

Lagerbestand:: 3 421 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 4 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.56 CHF	3.56 CHF
	2.35 CHF	23.50 CHF
	1.66 CHF	166.00 CHF
	1.53 CHF	765.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	1.42 CHF	2 840.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK 1212-8W-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	701 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	530 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	288 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	48 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	117 ns
Serie:	SQJQ
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	93 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SQJQ140E-T1_GE3 Datenblatt

Models

SQJQ140E-T1_GE3 Symbol & Footprint by SnapMagic

Technical Resources

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.

SQJQ Automotive-MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive-MOSFETs sind TrenchFET^®-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind 100 % Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS). Die SQJQ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem vollständig bleifreien (Pb) PowerPAK^® -8x8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Motormanagement, Motorantriebe/-aktoren, Karosseriesysteme und Batteriemanagement.