Renesas Electronics Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ

Renesas / Dialog NOR-Flash 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40 C to 105 C, 16-pin SOIC 300mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

NOR Flash

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE,T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,PLCC,IND TEMP,120NS,PB FREE,T&
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM CMOS, 32 LEAD PLCC, IND., 90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS, PB F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS,T&R,P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.TEMP,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 75
Mult.: 75

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas Electronics SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 310
Mult.: 310

SRAM SMD/SMT SOIC-24 16 kbit Parallel

Renesas Electronics SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT SOIC-24 16 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 108
Mult.: 18

SRAM SMD/SMT PLCC-68 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit