Intelligent Memory Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 128GB, -40C to 85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen

eMMC SMD/SMT FBGA-153 16 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 16GB, -40C to 85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen

eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 32GB, -25C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen

eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 64GB, -25C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 128GB, -25C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen

eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM