Rectron Neueste Diskrete Halbleiter
Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
Rectron MMBD120x 100V Small Signal Diodes
03.01.2024
03.01.2024
Fast switching devices with 4ns maximum reverse recovery time available in a SOT-23 package.
Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
10.10.2022
10.10.2022
Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON).
Rectron RM3134 Dual N-Channel MOSFET
10.10.2022
10.10.2022
Lead-free product housed in a surface mount package.
Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
10.10.2022
10.10.2022
Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.
Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
09.21.2022
09.21.2022
Features advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge.
Rectron RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET
09.21.2022
09.21.2022
Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
07.03.2025
07.03.2025
Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
07.03.2025
07.03.2025
ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
07.02.2025
07.02.2025
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
07.01.2025
07.01.2025
Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
06.30.2025
06.30.2025
Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06.30.2025
06.30.2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
06.27.2025
06.27.2025
Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
06.27.2025
06.27.2025
Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
06.23.2025
06.23.2025
Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
06.23.2025
06.23.2025
Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
06.18.2025
06.18.2025
Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
06.04.2025
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
06.04.2025
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
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