Toshiba Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden
Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden
04.04.2025
Diese SiC Schottky-Barriere-Dioden haben eine repetitive Spitzensperrspannung (VRRM) von 1200 V.
Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs
Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs
10.14.2024
Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.
Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs
Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs
09.13.2024
Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.
Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
09.10.2024
Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.
Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
08.12.2024
Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.
Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs
Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs
05.13.2024
Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.
Toshiba XCUZ Zenerdioden
Toshiba XCUZ Zenerdioden
01.23.2024
Für die Verwendung in der Automobilindustrie ausgelegt, verfügt über eine Verlustleistung von 600 mW und ist AEC-Q101-qualifiziert.
Toshiba TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden
Toshiba TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden
07.26.2023
Diese 650-V-Bauteile basieren auf der Technologie der dritten Generation, die Schottky-Metall verwendet.
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06.09.2023
Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.
Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET
02.13.2023
Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.
Toshiba CSLZ Zener-Dioden
Toshiba CSLZ Zener-Dioden
11.21.2022
In einem kleinen SL2-Gehäuse untergebracht.
Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation
Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation
07.11.2022
Ausgelegt für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC-Eingang und AC-DC-Netzteile.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
07.03.2025
Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
07.03.2025
ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
07.02.2025
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
07.01.2025
Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06.30.2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
06.30.2025
Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
06.27.2025
Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch  TLP-Klemmspannung zu minimieren.
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
06.27.2025
Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
06.23.2025
Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
06.23.2025
Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
06.18.2025
Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
Verfügen über niedrige  RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
06.03.2025
Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
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