Nexperia Neueste Transistoren

Angewendete Filter:
Hersteller = Nexperia Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs
Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs
04.14.2025
60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
04.14.2025
40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.
Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs
Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs
01.21.2025
Kombiniert bewährte MOSFET-Expertise mit breitem Anwendungswissen und schafft so ein wachsendes Angebot.
Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start
Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start
01.08.2025
Bietet einen zuverlässigen linearen Modus, verbessertes SOA und einen niedrigen RDS(on) in einem einzigen Bauteil.
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
12.30.2024
AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.
Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET
10.01.2024
Ein 40 V, 4,8 mΩ bidirektionaler GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT – Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) in einem WLCSP-Gehäuse.
Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET
08.30.2024
Basiert auf der niederohmigen Trench 14 Split-Gate-Technologie und ist in einem LFPAK56E-Gehäuse untergebracht.
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
07.04.2024
Bietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.
Nexperia GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET
Nexperia GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET
07.02.2024
Ein universal einsetzbarer 150 V, 3,9 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET in einem VQFN-Gehäuse.
Nexperia NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs
Nexperia NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs
07.01.2024
Bieten eine hervorragende RDS(on) -Temperaturstabilität in einem standardmäßigen 7-Pin-TO-263-Kunststoffgehäuse.
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs
06.24.2024
80 V Standard-Gate-Drive-MOSFETs mit einem niedrigen Qrr für einen höheren Wirkungsgrad und niedrigere Spitzen.
Nexperia NSF0x120L4A0 n-Kanal-MOSFETs
Nexperia NSF0x120L4A0 n-Kanal-MOSFETs
04.23.2024
1200-V-Leistungs-MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis (SiC) in bewährten 4-poligen TO-247-Kunststoffgehäusen.
Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs
Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs
04.04.2024
Kleine AEC-Q101-qualifizierte SMD-Plastikgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia PSMN047-100NSE n-Kanal-ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE n-Kanal-ASFET
04.04.2024
Der 100 V, 53 mΩ ASFET kombiniert einen verbesserten SOA in einem kompakten Footprint von 2 mm x 2 mm.
Nexperia BSS138AK N-Kanal-Trench-MOSFETs
Nexperia BSS138AK N-Kanal-Trench-MOSFETs
04.04.2024
AEC-Q101-qualifizierte n-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistoren (FETs) in kleinen SMD-Gehäusen.
Nexperia EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs
Nexperia EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs
02.28.2024
Sind in Space-Mode  LFPAK56-Gehäusen untergebracht und eignen sich hervorragend für bürstenlose DC-Motorsteuerungsapplikationen.
Nexperia PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET
02.28.2024
Für Relaisaustausch, Einschaltstrommanagement und Batteriemanagement-Applikationen ausgelegt.
Nexperia BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs
Nexperia BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs
02.23.2024
Zur Erfüllung der AEC-Q101-Anforderungen ausgelegt und qualifiziert und liefern eine hohe Leistungsfähigkeit und Lebensdauer.
Nexperia GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse
Nexperia GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse
12.20.2023
Kupfer-Clip-Gehäusetechnologie mit niedriger Induktivität/Schaltverlusten und hoher Zuverlässigkeit.
Nexperia 1.200-V-SiC-MOSFETs
Nexperia 1.200-V-SiC-MOSFETs
11.30.2023
in 3-Pin-TO-247-3- und 4-Pin-TO-247-4 für die PCB-Durchsteckmontage untergebracht.
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
11.02.2023
Erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.
Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
08.09.2023
Kombinieren Träger-gespeicherte Trench-Gate- und Field-Stop-Strukturen mit Technologie der 3. Generation.
Ansicht: 1 - 25 von 44

    Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
    Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
    09.09.2025
    Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
    Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
    Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
    07.03.2025
    40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
    07.03.2025
    Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
    07.01.2025
    Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
    ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
    ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
    06.30.2025
    Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
    Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
    Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
    06.23.2025
    Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    06.23.2025
    Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
    ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
    ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
    06.16.2025
    Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06.09.2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
    onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
    06.09.2025
    Verfügen über niedrige  RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
    ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    06.04.2025
    Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
    06.03.2025
    Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    06.03.2025
    Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
    06.03.2025
    Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
    onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
    onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
    05.23.2025
    Das Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
    05.22.2025
    Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
    onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
    onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
    05.22.2025
    Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    05.15.2025
    170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    05.15.2025
    Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
    Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
    Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
    05.14.2025
    Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
    05.13.2025
    Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05.06.2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
    Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
    05.02.2025
    Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
    04.30.2025
    Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    04.28.2025
    Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.
    Ansicht: 1 - 25 von 499