SemiQ Neueste Transistoren
Arten von Transistoren
Angewendete Filter:
SemiQ GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule
03.21.2024
03.21.2024
Ideal für Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.
SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule
03.21.2024
03.21.2024
Geringe Schaltverluste, niedriger thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und sehr robuste und einfache Montage.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11.15.2023
11.15.2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03.09.2023
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03.09.2023
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07.28.2022
07.28.2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
05.23.2025
05.23.2025
Das Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05.22.2025
05.22.2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
05.22.2025
05.22.2025
Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05.15.2025
05.15.2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05.15.2025
05.15.2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
05.14.2025
05.14.2025
Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
05.13.2025
05.13.2025
Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
05.02.2025
05.02.2025
Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
04.30.2025
04.30.2025
Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
04.28.2025
04.28.2025
Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.
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