Microchip Neueste IGBTs
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STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
05.22.2025
05.22.2025
Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
ROHM Semiconductor RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs
01.15.2025
01.15.2025
Zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen geringen Schaltverlust aus.
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode
12.24.2024
12.24.2024
Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs
10.17.2024
10.17.2024
Diese verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust und eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren und HV-Heizgeräte.
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT
09.12.2024
09.12.2024
Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT
09.12.2024
09.12.2024
Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe
07.03.2024
07.03.2024
1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.
onsemi AFGHxL40T Automobilstandard-IGBTs
06.12.2024
06.12.2024
AEC-Q101-qualifiziert und verwendet eine robuste Field-Stop-VII-Trench-Bauweise.
onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT
06.04.2024
06.04.2024
650-V-n-Kanal-Zündbauteil für PTC-Heizgeräte und Hochstrom-Systemapplikationen.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04.24.2024
04.24.2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04.12.2024
04.12.2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A IGBT
03.01.2024
03.01.2024
Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit innovativer Technologie.
onsemi Wärmepumpen
03.01.2024
03.01.2024
Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.
onsemi FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTs
02.07.2024
02.07.2024
Die Bauteile verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode.
Bourns Elektrifizierungslösungen
12.20.2023
12.20.2023
Transformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.
onsemi FGHL40T120RWD 1200 V Diskreter 40 A-IGBT
11.29.2023
11.29.2023
Verwendet die IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen untergebracht.
onsemi FGHL60T120RWD 1200 V Diskreter 60 A-IGBT
11.29.2023
11.29.2023
Verwendet fortschrittliche IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse 3 Anschlüssen untergebracht.
onsemi AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs
11.22.2023
11.22.2023
Diese Bauteile zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus.
onsemi FGY140T120SWD 1200 V Schneller diskreter 140 A-IGBT
11.13.2023
11.13.2023
Ausgestattet mit fortschrittlicher IGBT-Technologie der 7. Generation.
STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe
10.31.2023
10.31.2023
Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.
Littelfuse 1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden
10.18.2023
10.18.2023
Entwickelt mit XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und Trench-IGBT-Verfahren mit antiparallelen Schalldioden.
onsemi FGH4L50T65SQD 650 V 50 A Hochgeschwindigkeits-IGBT
10.13.2023
10.13.2023
Das Bauteil verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie in dieser Baureihe von IGBTs der 4. Generation.
onsemi FGH4L50T65MQDC50 650-V-Field-Stop-IGBT mit mittlerer Geschwindigkeit
08.15.2023
08.15.2023
Verwendet Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und 1,5-SiC-Schottky-Dioden-Technologie.
Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
08.09.2023
08.09.2023
Kombinieren Träger-gespeicherte Trench-Gate- und Field-Stop-Strukturen mit Technologie der 3. Generation.
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