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STMicroelectronics Neueste MOSFETs

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STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10.01.2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08.18.2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05.08.2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

01.25.2023

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100 % Avalanche.

STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.19.2022

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist.

STMicroelectronics STL325N4LF8AG N-Channel Leistungs-MOSFET

06.24.2022

- Nutzt die STRipFET F8 Technologie und bietet einen verbesserten Trench GATE Aufbau.

STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET

06.21.2022

- Hergestellt mit STRipFET F8 Trench-MOSFET-Technologie.

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

05.27.2022

- Für Mittel-/Hochspannung mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode.

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET

05.25.2022

- Entwickelt für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche.

STMicroelectronics STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

05.04.2022

- Mit einer ausgezeichneten RDS(on) x Fläche und einem niedrigen Qg werden hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste erreicht.

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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

04.30.2025

- Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

04.14.2025

- 60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs

04.11.2025

- Verfügen über einen branchenführenden niedrigen RDS(on), eine verbesserte Schaltleistung und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten.

Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von 100 V und 150 V

03.21.2025

- Nutzt die Split-Gate-Technologie mit Anschlüssen mit benetzbaren Flanken und ist ideal für Hochstromapplikationen.

onsemi Maschinelles Sehen

03.18.2025

- Eine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

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