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ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS, & Karosserie.

ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie.

ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch-Leistungs-MOSFET

03.12.2025

- Bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V mit niedrigem On-Widerstand in einem Hochleistungs-TO263AB-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RS7 Leistungs-MOSFETs

01.16.2025

- Entwickelt für den Einsatz in Motorantrieben, Schaltanwendungen und DC/DC-Wandlern.

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.01.2024

- 40 V, 80 A, 100 % Avalanche-getestet, AEC-Q101-qualifiziert und RoHS-konform.

ROHM Semiconductor BSS138WAHZG Kleinsignal-n-Kanal-MOSFET mit 60 V und 310 mA

06.20.2024

- Verfügt über verschiedene Funktionen zur Optimierung von Leistung und Zuverlässigkeit.

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs

06.11.2024

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Automobilqualität in einem kleinen Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm mit hoher Leistung.

ROHM Semiconductor RV7x n-Kanal-MOSFETs mit mittlerer Leistung

05.20.2024

- Bieten einen niedrigen On-Widerstand und eine ausgezeichnete Wärmeleitung in einem unbedrahteten, extrem kleinen SMD-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RF6L025BG Leistungs-MOSFET

02.02.2024

- Verfügt über 60 V VDSS, ±2,5 A ID, 91 mΩ niedrigen Einschaltwiderstand (RDS (on)) und 1 W Verlustleistung (PD).

ROHM Semiconductor RF6G035BG Leistungs-MOSFET

02.02.2024

- Verfügt über ein VDSS von 40 V , ID mit ±3,5 A, einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS (on)) von 46 mΩ und eine Verlustleistung (PD) von 1 W.

ROHM Semiconductor RQ3L060BG Leistungs-MOSFET

01.19.2024

- Verfügt über 60 V VDSS, ±15,5 A ID, einen niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) von 38 mΩ und eine Verlustleistung von 14 W.

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von 800 V, 19 A

01.04.2024

- Bieten einen niedrigen On-Widerstand mit schneller Schaltung und sind RoHs-konform.

ROHM Semiconductor R6049YN n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.19.2023

- Bieten eine Hochgeschwindigkeitsschaltung und niedrige Einschaltwiderstände für Schaltapplikationen.

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Zweikanal-Anreicherungstyp-MOSFETs

08.18.2023

- Bieten eine zweifache n-Kanal- oder n-Kanal-/p-Kanal-Transistorpolarität in kleinen HSMT8- und HSOP8-Gehäusen.

ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

05.24.2023

- MOSFETs im HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse mit hoher Strombelastbarkeit/reduziertem Gehäusewiderstand.

ROHM Semiconductor RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFET

05.19.2023

- Kompakter verlustarmer MOSFET, der über einen Cu-Clip-Aufbau verfügt und zu einem Betrieb mit hohem Wirkungsgrad beiträgt.

ROHM Semiconductor n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

03.16.2023

- Sorgt für niedrige Einschaltwiderstände und verbessert die Kurzschlussfestigkeitszeit.

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP-MOSFET

11.15.2022

- 3 A, 20 VDSS, N-Kanal MOSFET, das über einen niedrigen Einschaltwiderstand und einHochleistungspaket verfügt.

ROHM Semiconductor RH6 n-Kanal Leistungs-MOSFETs

07.26.2022

- Bieten einen niedrigen On-Widerstand in einem kleinen, oberflächenmontierbaren 8-Pin-Gehäuse (HSMT-8).

ROHM Semiconductor RV5x040 Kleinsignal-MOSFETs

07.11.2022

- Bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem kleinen DFN1616-Gehäuse.

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs

07.11.2022

- 600-V-n-Kanal-MOSFETs, die für Schaltapplikationen ausgelegt sind.

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Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

04.30.2025

- Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.