STMicroelectronics Neueste SiC-MOSFETs
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Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05.22.2025
05.22.2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
04.17.2025
04.17.2025
Bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02.20.2025
02.20.2025
Liefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V.
onsemi NTBL032N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02.20.2025
02.20.2025
Für schnelle Schaltapplikationen ausgelegt, die eine zuverlässige Leistung bieten.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.06.2024
09.06.2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.
Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.
Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).
Micro Commercial Components (MCC) SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
650 V SiC-MOSFETs mit Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit und sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar.
Infineon Technologies CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs
08.28.2024
08.28.2024
Speziell ausgelegt für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-PSUs und Solar-/Energiespeichersystemen.
Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs
08.26.2024
08.26.2024
Bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximalen Leistungsverlust.
onsemi NTH4L018N075SC1 n-Kanal-SiC-MOSFET
08.14.2024
08.14.2024
M2-EliteSiC-MOSFET von 750 V mit niedrigem On-Widerstand, erhältlich in einem kompakten TO247-4L-Gehäuse.
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC-MOSFET
08.14.2024
08.14.2024
Bietet eine M3S-Planar-Technologie für schnellschaltende Applikationen in einem D2PAK-7L-Gehäuse.
onsemi NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET
08.06.2024
08.06.2024
Bietet eine Sperrnennspannung von 650 V, eine Ausgangskapazität von 153 pF und ein TO-247-4L-Gehäuse.
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions
08.01.2024
08.01.2024
Supports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.
Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
07.26.2024
07.26.2024
Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.
Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil
07.03.2024
07.03.2024
Bieten einen hohen Systemwirkungsgrad, reduzieren Schaltverluste und minimieren das Gate-Schwingen.
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