DSC1001 Serie Oszillatoren von MEMS

Ergebnisse: 2 679
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 9.216MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420

CDFN-4 9.216 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 22.5792MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 22.5792 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 38.88MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420
CDFN-4 38.88 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 38.88MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
CDFN-4 38.88 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 47.3885MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 47.3885 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 420
Mult.: 420

CDFN-4 54 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 54 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 133.333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 133.333 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 37.125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 37.125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25

CDFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 33.3333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 11.2896MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

11.2896 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 12.5MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25
CDFN-4 12.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25

CDFN-4 4 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 4 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 12.5MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
CDFN-4 12.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25

CDFN-4 12.288 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 12.288 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25

CDFN-4 23 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 23 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 700
Mult.: 25

CDFN-4 26.65 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 26.65 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 74.25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 74.25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 90MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

CDFN-4 90 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001