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PJL9580_R2_00201

Name: Panjit PJL9580_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJL9580_R2_00201
Price: 1.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJL9580_R2_00201

Herst.- Nr.:

PJL9580_R2_00201

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PJL9580_R2_00201 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.44 CHF	1.44 CHF
	0.916 CHF	9.16 CHF
	0.615 CHF	61.50 CHF
	0.486 CHF	243.00 CHF
	0.444 CHF	444.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.418 CHF	1 045.00 CHF
	0.414 CHF	2 070.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	10.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.4 ns
Artikel # Aliases:	PJL9580
Gewicht pro Stück:	83 mg

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Datenblatt

PJL9580_R2_00201 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).