HS1Q Dioden u. Gleichrichter

Arten von Dioden u. Gleichrichtern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
If - Durchlassstrom
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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6 955Auf Lager
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Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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2 756Auf Lager
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Rolle: 3 000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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11 200Auf Lager
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Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
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11 120Auf Lager
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Rolle: 14 000

Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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11 200Auf Lager
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Rolle: 14 000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
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8 240Auf Lager
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Rolle: 14 000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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7 355Auf Lager
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Rolle: 7 500

Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.59 V 1 A
Taiwan Semiconductor Gleichrichter 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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2 965Auf Lager
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Rolle: 3 000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Toshiba SiC Schottky Dioden SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
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43Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 102 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Datenblatt
120Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 12 A
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
Datenblatt
67Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 83 A
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
Datenblatt
56Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 38 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
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224Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 4 A
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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15Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 50 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
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92Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 10 A
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
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114Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 61 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
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31Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 3 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
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287Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 6 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
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10Auf Lager
68Auf Bestellung
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 2 A
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
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31Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 8 A