HiPerFET Serie MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 34 Amps 800V 0.24 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 34 A 240 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 600 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 600V 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 500V 44A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 30
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 44 Amps 500V 0.12 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 500 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 44 Amps 800V 0.145 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 165 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 700 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 80 Amps 500V 0.06 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 60 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX1T660N04T4
IXYS MOSFET-Module Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 40 V 660 A 850 uOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX2F60N50P3
IXYS MOSFET-Module SMPD 500V 30A N-CH POLAR3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT N-Channel 500 V 30 A 120 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 320 W HiPerFET Tube