IXYS IXFL38N100 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 29 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q2-Class HiperFET 1000, 22A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 22 A 280 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube