STMicroelectronics BD140 Serie Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT PNP Audio Amplfier
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5 279Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT PNP Silicon Trnsistr
Datenblatt
6 635Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube