STMicroelectronics IGBTs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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493Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
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199Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
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Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 125 W - 55 C + 150 C STGP19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
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Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
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600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
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Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
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Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube