STMicroelectronics IGBTs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
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255Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
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Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 9 A 25 W - 55 C + 150 C STGF10NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Datenblatt
1 005Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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2 086Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Datenblatt
127Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Datenblatt
2 146Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Datenblatt
468Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Datenblatt
411Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Datenblatt
1 022Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Datenblatt
422Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
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Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Datenblatt
2 336Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGP10NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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434Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Datenblatt
747Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
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299Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Datenblatt
976Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Datenblatt
931Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
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1 990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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177Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
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844Auf Lager
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW20NC60VD Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
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560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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70Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V - 20 V, 20 V 30 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Datenblatt
402Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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452Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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115Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1 136Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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394Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube