Trench MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
IXYS MOSFET-Module TO220 200V 48A N-CH TRENCH
Datenblatt
167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 250 W Tube
IXYS MOSFET-Module TO220 250V 76A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 250 V 76 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
IXYS MOSFET-Module IXTY44N10T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 130 W Reel, Cut Tape, MouseReel