3138 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Datenblatt
4 037Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube