IXFT15N100 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 15 Amps 1000V 0.725 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HyperFET Tube