IXTH30N50 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS IXTH30N50L2
IXYS MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
Datenblatt
266Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarHV Tube

IXYS MOSFETs 30 Amps 500V 0.17 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 30 Amps 500V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms Tube