Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname


Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
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450Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
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450Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
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438Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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450Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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445Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
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450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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447Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIW120SIC028
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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445Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 67 A 49 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 179 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement DIW170SIC049
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175DegC
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398Auf Lager
480Auf Bestellung
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 70 A 22.3 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement DIW170SIC070
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
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450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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448Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
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448Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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707Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs
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445Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs TO-263-7L, N, 7A, 1700V, 850m?, 150C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7 A 850 mOhms - 5 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1700V, 49m, 175C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 450
Mult.: 30
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3m, 175C,
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 450
Mult.: 30
Diotec Semiconductor SiC-MOSFETs TO-247-3L, N, 7.5A, 1700V, 850m?, 175C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 450
Mult.: 30