Microchip SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-263-7L XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21 A 225 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 200
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-263-7L XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 200
Mult.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 450 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1400 V 750 mOhm TO-263-7 XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 7 A 940 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 10.1 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 200
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1400 V 750 mOhm TO-263-7 XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 200
Mult.: 100

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 7 A 940 mOhms - 10 V, 23 V 5 V 10.1 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement

Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4L-Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 3.3 kV 104 A 25 mOhms - 55 C + 150 C
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 90
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 25 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 90
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 30 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm SOT-227 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 20
Mult.: 10

Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 50 mOhms - 10 V, + 20 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 338 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 90
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 40 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 120
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 45 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 120
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 60 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 90
Mult.: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 64 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 150
Mult.: 30
Through-Hole TO-247-3 1.2 kV 80 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 34 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-263-7 XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 700 V 34 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 150
Mult.: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
: 1 300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 225 mOhms - 10 V to 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 154 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 200
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 700 V 44 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7 XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V to 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement