ISSI NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ISSI NAND-Flash 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 220
Mult.: 220

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G081 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G084 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 4G 3.3V x8 NAND-Flash Q100
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G081 4 Gbit Parallel 512 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
Datenblatt
Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML04G088 4 Gbit SPI 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G088 4 Gbit SPI 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
IS34ML04G088 Reel
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
IS34ML04G088 Reel
ISSI NAND-Flash SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IS34ML04G088
ISSI NAND-Flash SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IS34ML04G088
ISSI NAND-Flash SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G088 8 Gbit SPI 1 G x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 8 Gb (x16, 8bit ECC), 64 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 220
Mult.: 220

SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit Parallel 1 G x 8/512 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 1Gbit (x16, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW02G084 16 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8 bit 2.7 V 3.6 V 50 uA - 40 C + 85 C Tray

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 8 Gb (x16, 8bit ECC), 64 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit Parallel 1 G x 8/512 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel