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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVT
- BQ294532DRVR
- Texas Instruments
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1:
0.43 CHF
-
5 850Auf Lager
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVR
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Texas Instruments
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVT
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5 850Auf Lager
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0.43 CHF
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0.302 CHF
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0.27 CHF
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0.235 CHF
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0.188 CHF
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Anzeigen
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0.219 CHF
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0.208 CHF
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0.20 CHF
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0.184 CHF
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3 000
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SMD/SMT
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WSON-6
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4.5 V
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVR
- BQ294532DRVT
- Texas Instruments
-
1:
0.923 CHF
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVT
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Texas Instruments
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Batterie-Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVR
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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0.923 CHF
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0.669 CHF
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0.605 CHF
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0.534 CHF
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0.533 CHF
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Anzeigen
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0.469 CHF
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0.464 CHF
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0.447 CHF
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Min.: 1
Mult.: 1
:
250
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SMD/SMT
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WSON-6
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4.5 V
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Batterie-Management Overvoltage Protecti on Device for 2- to
Texas Instruments BQ294532DRVRG4
- BQ294532DRVRG4
- Texas Instruments
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3 000:
0.238 CHF
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
-
Neues Produkt
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Mouser-Teilenr.
595-BQ294532DRVRG4
Neues Produkt
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Texas Instruments
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Batterie-Management Overvoltage Protecti on Device for 2- to
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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0.238 CHF
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0.211 CHF
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
:
3 000
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Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER
- 2ED2182S06FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1.63 CHF
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Mouser-Teilenr.
726-2ED2182S06FXUMA1
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Infineon Technologies
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Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER
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1.63 CHF
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1.20 CHF
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1.09 CHF
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0.97 CHF
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Anzeigen
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0.826 CHF
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0.916 CHF
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0.883 CHF
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0.859 CHF
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0.826 CHF
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2 500
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SMD/SMT
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DSO-8
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM580EKT
- NXP Semiconductors
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176:
5.73 CHF
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM580EKT
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 176
Mult.: 176
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM581EKR2
- NXP Semiconductors
-
1 000:
5.86 CHF
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM581EKR2
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000
:
1 000
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SMD/SMT
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SOIC-32
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25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM581EKT
- NXP Semiconductors
-
176:
6.25 CHF
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM581EKT
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NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 176
Mult.: 176
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SMD/SMT
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SOIC-32
|
25 V
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
- MGD3162AM580EKR2
- NXP Semiconductors
-
1 000:
5.35 CHF
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Mouser-Teilenr.
771-MGD3162AM580EKR2
|
NXP Semiconductors
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Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000
:
1 000
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SMD/SMT
|
SOIC-32
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25 V
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|
Schweiz
