Signal Transformer / Bel F1B1 Ungeschirmte Leistungsinduktivitäten

Signal Transformer/BEL  F1B1 ungeschirmte Leistungsinduktivitäten verfügen über ein niedriges Profil, einen Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +105°C und eine maximale Nenninduktivität von 56µh. Diese Induktivitäten sind in neun Baureihen mit Abmessungen von 3.0 mm x 3.0 mm bis 4,6 mm x 4,6 mm verfügbar. Ungeschirmte Leistungsinduktivitäten bieten eine höhere Strombelastbarkeit im Vergleich zu einer abgeschirmten Bauweise und eignen sich für den unkritischen Einsatz in stromsparenden Schaltungen, Universal-Leistungsdrosseln und Stromversorgungsapplikationen. Zusätzliche Funktionen umfassen ein oberflächenmontierbares Design, einen Kupfersockel mit DR-core und einen großen Sättigungsstrombereich. Signal Transformer/BEL  F1B1 Induktivitäten eignen sich hervorragend für Mobiltelefone, digitale Geräte, EMI-Rauschfilter und verschiedene Stromversorgungsumgebungen.

Merkmale

  • Ungeschirmte Bauweise
  • Oberflächenmontage
  • Kupfersockel mit DR-Kern
  • Niedriges Profil
  • Reduzierte Größe und weniger Footprint
  • Hochstrom
  • Automatisierter Prozess

Applikationen

  • Eingang/Ausgang von DC/DC-Wandlern
  • Stromversorgung
    • Tragbare Kommunikationsausstattung
    • Camcorder
    • LCD-Fernseher
  • Handys
  • Digitale Ausrüstung
  • Tiefpass-Frequenzrauschfilter
  • EMI-Rauschfilter

Technische Daten

  • F1B1-3030
    • Profilhöhen von 1.0 mm bis 1,5 mm
    • Footprint von 3.0 mm x 3.0 mm
    • 1 µH bis 39 µH Induktivitätsbereich
    • 0,38 A bis 2,3 A Sättigungsnennstrombereich
    • 0,33 A bis 1,9 A Temperaturanstiegsstrombereich
    • -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
  • F1B1-3838
    • Profilhöhen von 1,2 mm bis 1,8 mm
    • Footprint von 3,8 mm x 3,8 mm
    • 1 µH bis 56 µH Induktivitätsbereich
    • 0,33 A bis 3,2 A Sättigungsnennstrombereich
    • 0,32 A bis 2,3 A Temperaturanstiegsstrombereich
    • -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
  • F1B1-4646
    • Profilhöhen von 1,2 mm bis 1,5 mm
    • Footprint von 4,6 mm x 4,6 mm
    • 1 µH bis 47 µH Induktivitätsbereich
    • 0,32 A bis 3,4 A Sättigungsnennstrombereich
    • 0,35 A bis 2,5 A Temperaturanstiegsstrombereich
    • -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-04 | Aktualisiert: 2024-11-19