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Diodes Incorporated DMN3732UFB4 MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus

Der MOSFET DMN3732UFB4 mit N-Kanal-Anreicherungsmodus von Diodes Incorporated wurde entwickelt, um denRDS(on) zu minimieren und dabei eine eindrucksvolle Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrigeVGS(th) und ein ESD-geschütztes Gate. Der DMN3732UFB4-MOSFET ist zertifiziert nach AEC Q100/101/104/200 und wird in einem 0,4-mm-Ultraflachprofil-Gehäuse geliefert. Dieser MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Lastschalter, tragbare Applikationen und Leistungsmanagementfunktionen.

Merkmale

  • 0,4 mm Ultra-Low-Profile-Gehäuse für dünne Applikationen
  • 0,6 mm² Gehäuse-Footprint
  • NiedrigeVGS(th)
  • NiedrigerRDS(on):
  • ESD-geschütztes Gate
  • Zertifiziert nach AEC-Q100/101/104/200
  • PPAP-fähig
  • Bleifrei
  • RoHs-konform
  • Halogen- und antimonfrei

Technische Daten

  • 30 VDSS Drain-Source-Spannung
  • ±8 VGSS Gate-Source-Spannung
  • 3 A gepulster Drainstrom
  • 0,96 A maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Gehäusediode
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
  • Gehäuse:
    • X2-DFN1006-3
  • Brennbarkeitsklasse UL 94V-0
  • Gewicht:
    • 0,001 Gramm

Applikationen

  • Lastschalter
  • Tragbare Applikationen
  • Leistungsmanagementfunktionen

Abmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated DMN3732UFB4 MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-27 | Aktualisiert: 2023-01-23